Bibliographic Details
| Title: |
Caracterización eléctrica de películas delgadas de Al2O3 depositadas sobre GaAs por la técnica de rocío pirolítico |
| Authors: |
Chávez-Ramírez, J., Aguilar-Frutis, M., Burillo, G., López-Romero, S., Alvarez-Fregoso, O., Falcony, C., Flores-Morales, C. |
| Source: |
Matéria (Rio de Janeiro). March 2008 13(1) |
| Publisher Information: |
Laboratório de Hidrogênio, Coppe - Universidade Federal do Rio de Janeiro; em cooperação com a Associação Brasileira do Hidrogênio, ABH2, 2008. |
| Publication Year: |
2008 |
| Subject Terms: |
Estructuras MOS, transistor de efecto de campo (FET), materiales dieléctricos, propiedades eléctricas e interfases |
| More Details: |
Se estudiaron las características eléctricas de películas delgadas de óxido de aluminio preparadas por la técnica de rocío pirolítico ultrasónico. Las películas delgadas se depositaron a partir de una solución de acetilacetonato de aluminio en N,N-dimetilformamida sobre substratos monocristalinos de GaAs (100) tipo-p. La temperatura de depósito fue de 300 a 600 ºC. Las propiedades eléctricas de las películas en función de la temperatura de substrato se determinaron por medidas de capacitancia y corriente contra voltaje mediante la incorporación de las películas en estructuras tipo MOS (metal-óxido-semiconductor). La densidad de estados de interfaz resultó del orden de 10(12) 1/eV-cm² y el dispositivo MOS soportó campos eléctricos mayores a 5MV/cm, sin mostrar rompimiento dieléctrico. El índice de refracción se determinó por elipsometría a 633nm, con un valor máximo del orden de 1.64. |
| Document Type: |
article |
| File Description: |
text/html |
| Language: |
Spanish; Castilian |
| ISSN: |
1517-7076 |
| DOI: |
10.1590/S1517-70762008000100016 |
| Access URL: |
http://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1517-70762008000100016 |
| Rights: |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Accession Number: |
edssci.S1517.70762008000100016 |
| Database: |
SciELO |
